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A violação de direitos autorais é passível de sanções civis e penais.
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Coleção Digital
Título: FABRICAÇÃO DE NANOESTRUTURAS SEMICONDUTORAS EM DEFEITOS PRODUZIDOS POR MICROSCOPIA DE FORÇA ATÔMICA Autor: HENRIQUE DUARTE DA FONSECA FILHO
Instituição: PONTIFÍCIA UNIVERSIDADE CATÓLICA DO RIO DE JANEIRO - PUC-RIO
Colaborador(es):
RODRIGO PRIOLI MENEZES - ORIENTADOR
Nº do Conteudo: 12973
Catalogação: 23/01/2009 Idioma(s): PORTUGUÊS - BRASIL
Tipo: TEXTO Subtipo: TESE
Natureza: PUBLICAÇÃO ACADÊMICA
Nota: Todos os dados constantes dos documentos são de inteira responsabilidade de seus autores. Os dados utilizados nas descrições dos documentos estão em conformidade com os sistemas da administração da PUC-Rio.
Referência [pt]: https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=12973@1
Referência [en]: https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=12973@2
Referência DOI: https://doi.org/10.17771/PUCRio.acad.12973
Resumo:
Título: FABRICAÇÃO DE NANOESTRUTURAS SEMICONDUTORAS EM DEFEITOS PRODUZIDOS POR MICROSCOPIA DE FORÇA ATÔMICA Autor: HENRIQUE DUARTE DA FONSECA FILHO
Nº do Conteudo: 12973
Catalogação: 23/01/2009 Idioma(s): PORTUGUÊS - BRASIL
Tipo: TEXTO Subtipo: TESE
Natureza: PUBLICAÇÃO ACADÊMICA
Nota: Todos os dados constantes dos documentos são de inteira responsabilidade de seus autores. Os dados utilizados nas descrições dos documentos estão em conformidade com os sistemas da administração da PUC-Rio.
Referência [pt]: https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=12973@1
Referência [en]: https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=12973@2
Referência DOI: https://doi.org/10.17771/PUCRio.acad.12973
Resumo:
A combinação de alta densidade, locais seletivos de
nucleação e controle da distribuição de tamanho de
nanoestruturas semicondutoras tem acelerado o
desenvolvimento de dispositivos ópticos e eletrônicos. Para
construir estruturas satisfazendo essas necessidades,
várias combinações de técnicas deposição de
pontos quânticos e nanolitografia foram desenvolvidas. A
nanolitografia por AFM foi aplicada em diversos materiais
abrindo uma possibilidade para fabricar
dispositivos opto-eletrônicos.Nesta tese de Doutorado,
apresentamos um estudo sistemático de crescimento de
nanoestruturas de InAs em buracos produzidos na
superfície (100) de substratos de InP por nanoindentação
com o AFM. Para isto, a ponta precisa exercer uma força no
InP que produz deformações plásticas na
superfície. A pressão aplicada entre a extremidade da ponta
de AFM e a superfície da amostra pode ser variada de modo
controlado através do ajuste de alguns parâmetros
operacionais do microscópio tais como setpoint, raio da
ponta e constante de mola do cantilever. A habilidade para
controlar a forma do padrão indentado assim como a natureza
dos defeitos cristalinos permite controlar o
crescimento seletivo de InAs por epitaxia em fase de vapor
de metais orgânicos. Também é apresentada a fabricação de
nanoestruturas de InAs/InP alinhadas em uma dimensão. A
nanoindentação é produzida pelo arraste da ponta do AFM sob
força constante ao longo das direções <100> e <110> do InP.
Observamos que o número e o tamanho das nanoestruturas
nucleadas são dependentes da distância entre as linhas
litografadas. Esses resultados sugerem que o mecanismo de
crescimento das nanoestruturas de InAs não é governado por
degraus atômicos gerados durante a indentação. Os dados
sugerem que, a densidade de defeitos induzidos
mecanicamente, tais como discordâncias e fraturas, é o
responsável pelo número de nanoestruturas nucleadas.