OPEN EDUCATIONAL RESOURCE
Title: | TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO (MOSFET) - PARTE 3 | ||||||||||||||||||||||
Author(s): |
GUILHERME PENELLO TEMPORAO |
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Institution: | - | ||||||||||||||||||||||
Contributor(s): | - | ||||||||||||||||||||||
Launched: | 03 11:10:20.000000/FEV/2014 | ||||||||||||||||||||||
Type: | AULA | ||||||||||||||||||||||
Language(s): | PORTUGUÊS - BRASIL |
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Reference: | https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/projetosEspeciais/OER/DataSet.php?strSecao=Resultado&nrSeq=22453@1 | ||||||||||||||||||||||
Abstract: | |||||||||||||||||||||||
É introduzido o MOSFET canal p (PMOS) como o complementar ao MOSFET canal n (NMOS), assim como sua combinação em um único dispositivo conhecido como CMOS.
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