Dicalcogenetos de metais de transição, como dissulfeto de molibdênio, disseleneto de tungstênio, entre outros exibem muitas propriedades interessantes que fazem os materiais desta família boas perspectivas para aplicações futuras, especialmente em diversas applicações da optoeletrônica, desde telecomunicações até medicina, devido à interessante transição de gap de banda indireta para direta que ocorre quando se isola uma única camada destes materiais. Um dos objetivos desta tese é: explorando essa propriedade e modificando a estrutura da dissulfeto de tungstênio usando um método simples e confiável de modificação estrutural, pode-se aprimorar as propriedades dos materiais de forma eficiente, bem como desenvolver novas maneiras de caracterizar esse material e suas modificações, em particular, a determinação de um parâmetro chave para aplicações de WS2, o número de camadas, usando espectroscopia Raman. Neste caso, o tratamento de plasma melhorou a intensidade de fotoemissão em 34 por cento além de p-dopar os cristais monocamada, abrindo portas para a realização de dispositivos baseados em WS2. Além disso, desenvolvemos um método de discriminação de monocamadas que é independente de tensão aplicada, modificação strutural ou dopagem.