O nitreto de gálio (GaN) é um dos mais interessantes e promissores materiais para aplicação em dispositivos óptico- eletrônicos. GaN pode ser usado para a fabricação de diodos e lasers azuis. O desenvolvimento deste tipo de material está relacionado com três campos principais: 1) deposição de camadas de GaN cristalino; 2) produção de nano- filamentos a partir de reações confinadas no interior de nanotubos de carbono; 3) síntese de GaN em pó por diferentes métodos químicos. Recentemente, novas técnicas de deposição adotaram a sublimação de pós de GaN como fonte de gálio para a produção de nanofilamentos de GaN, filmes finos ou cristais. Estes métodos de sublimação mostram a necessidade do emprego de pós de GaN. No presente trabalho, é apresentada uma nova rota para a produção de pós de GaN a partir da reação gás-sólido entre Ga2O3 e NH3(g) utilizando o carbono como agente redutor no interior de um novo tipo de reator, disposto verticalmente. A partir desta rota obteve-se pós de GaN com conversões aproximadamente de 100% e com estrutura cristalina hexagonal. A quantidade de GaN obtida variou de acordo com os parâmetros experimentais adotados. Através de uma análise estatística foi possível determinar a influência da temperatura, razão molar de carbono/Ga2O3 e do tempo experimental sobre a taxa de produção de GaN.