XINFORMAÇÕES SOBRE DIREITOS AUTORAIS
As obras disponibilizadas nesta Biblioteca Digital foram publicadas sob expressa autorização dos respectivos autores, em conformidade com a Lei 9610/98.
A consulta aos textos, permitida por seus respectivos autores, é livre, bem como a impressão de trechos ou de um exemplar completo exclusivamente para uso próprio. Não são permitidas a impressão e a reprodução de obras completas com qualquer outra finalidade que não o uso próprio de quem imprime.
A reprodução de pequenos trechos, na forma de citações em trabalhos de terceiros que não o próprio autor do texto consultado,é permitida, na medida justificada para a compreeensão da citação e mediante a informação, junto à citação, do nome do autor do texto original, bem como da fonte da pesquisa.
A violação de direitos autorais é passível de sanções civis e penais.
As obras disponibilizadas nesta Biblioteca Digital foram publicadas sob expressa autorização dos respectivos autores, em conformidade com a Lei 9610/98.
A consulta aos textos, permitida por seus respectivos autores, é livre, bem como a impressão de trechos ou de um exemplar completo exclusivamente para uso próprio. Não são permitidas a impressão e a reprodução de obras completas com qualquer outra finalidade que não o uso próprio de quem imprime.
A reprodução de pequenos trechos, na forma de citações em trabalhos de terceiros que não o próprio autor do texto consultado,é permitida, na medida justificada para a compreeensão da citação e mediante a informação, junto à citação, do nome do autor do texto original, bem como da fonte da pesquisa.
A violação de direitos autorais é passível de sanções civis e penais.
Coleção Digital
Título: TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO METAL-ÓXIDO-SEMICONDUTOR (MOSFETS) – PARTE 2 Autor: EDUARDO COSTA DA SILVA
Instituição: -
Colaborador(es):
-
Nº do Conteudo: 22202
Catalogação: 28/10/2013 Idioma(s): PORTUGUÊS - BRASIL
Tipo: TEXTO Subtipo: TEXTO
Natureza: PUBLICAÇÃO ACADÊMICA
Nota: Todos os dados constantes dos documentos são de inteira responsabilidade de seus autores. Os dados utilizados nas descrições dos documentos estão em conformidade com os sistemas da administração da PUC-Rio.
Referência [pt]: https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=22202&idi=1
Referência [en]: https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=22202&idi=2
Resumo:
Título: TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO METAL-ÓXIDO-SEMICONDUTOR (MOSFETS) – PARTE 2 Autor: EDUARDO COSTA DA SILVA
Nº do Conteudo: 22202
Catalogação: 28/10/2013 Idioma(s): PORTUGUÊS - BRASIL
Tipo: TEXTO Subtipo: TEXTO
Natureza: PUBLICAÇÃO ACADÊMICA
Nota: Todos os dados constantes dos documentos são de inteira responsabilidade de seus autores. Os dados utilizados nas descrições dos documentos estão em conformidade com os sistemas da administração da PUC-Rio.
Referência [pt]: https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=22202&idi=1
Referência [en]: https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=22202&idi=2
Resumo:
Esta é a segunda parte das notas de aula referentes ao tópico de Transistores de Efeito de Campo Metal-Óxido-Semicondutor (MOSFETs), apresentado na disciplina ENG1444 (Eletrônica Analógica) da PUC-Rio. O texto descreve a operação de MOSFETs, polarizados na região de saturação, quando submetidos a pequenos sinais alternados (CA) na vizinhança de seus pontos de polarização. Os modelos de pequenos sinais, para os MOSFETs, são apresentados e discutidos. Também são analisadas as três configurações básicas de MOSFETs como amplificadores lineares: fonte-comum (FC), porta-comum (PC) e dreno-comum (DC).
Descrição | Arquivo |
NA ÍNTEGRA |