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Coleção Digital
Título: CARACTERIZAÇÃO DE DEFEITOS MECÂNICOS PRODUZIDOS POR NANOINDENTAÇÃO NO INP Autor: CLARA MUNIZ DA SILVA DE ALMEIDA
Instituição: PONTIFÍCIA UNIVERSIDADE CATÓLICA DO RIO DE JANEIRO - PUC-RIO
Colaborador(es):
RODRIGO PRIOLI MENEZES - ORIENTADOR
Nº do Conteudo: 13442
Catalogação: 11/05/2009 Idioma(s): PORTUGUÊS - BRASIL
Tipo: TEXTO Subtipo: TESE
Natureza: PUBLICAÇÃO ACADÊMICA
Nota: Todos os dados constantes dos documentos são de inteira responsabilidade de seus autores. Os dados utilizados nas descrições dos documentos estão em conformidade com os sistemas da administração da PUC-Rio.
Referência [pt]: https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=13442@1
Referência [en]: https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=13442@2
Referência DOI: https://doi.org/10.17771/PUCRio.acad.13442
Resumo:
Título: CARACTERIZAÇÃO DE DEFEITOS MECÂNICOS PRODUZIDOS POR NANOINDENTAÇÃO NO INP Autor: CLARA MUNIZ DA SILVA DE ALMEIDA
Nº do Conteudo: 13442
Catalogação: 11/05/2009 Idioma(s): PORTUGUÊS - BRASIL
Tipo: TEXTO Subtipo: TESE
Natureza: PUBLICAÇÃO ACADÊMICA
Nota: Todos os dados constantes dos documentos são de inteira responsabilidade de seus autores. Os dados utilizados nas descrições dos documentos estão em conformidade com os sistemas da administração da PUC-Rio.
Referência [pt]: https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=13442@1
Referência [en]: https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=13442@2
Referência DOI: https://doi.org/10.17771/PUCRio.acad.13442
Resumo:
Nesta tese foi estudado o mecanismo de deformação mecânica de
semicondutores III-V, em especial do InP, através da criação de defeitos utilizando
um microscópio de força atômica e o indentador Triboscope. A liberdade de torção
da ponta do AFM dificulta o controle e a reprodutibilidade dos experimentos de
nanoindentação, por outro lado, através desta liberdade da técnica foi possível
medir a pressão necessária para a criação das primeiras discordâncias no cristal.
Foi realizado um estudo da deformação mecânica do óxido nativo presente na
superfície do InP(100) e do GaAs(001) através de indentações utilizando o
nanoindentador. Impressões plásticas residuais atribuídas à camada de óxido nativo
foram observadas na superfície dos semicondutores. O processo de deformação
plástica do InP foi estudado a partir de nanoindentações utilizando uma ponta
Berkovich e uma ponta conosférica. O processo de deformação do InP com a ponta
Berkovich apresenta descontinuidades para indentações realizadas com altas forças
que são associadas a sucessivos escorregamentos de planos {111} seguidos de
travamento das discordâncias. A distribuição de pressão na região indentada para a
ponta conosférica é isotrópica, permitindo uma melhor visualização da transição
elástico/plástico da deformação do material. Para essa ponta a deformação plástica
do InP é iniciada com um evento catastrófico, que aparece nas curvas de
indentação como uma descontinuidade. Foram observadas características ao redor
das indentações, indicando o aparecimento de discordâncias na superfície do
cristal. Microscopia eletrônica de transmissão foi utilizada para a observação das
seções transversais das indentações que apresentaram alta densidade de
discordâncias formadas pelos planos {111} escorregados.