Maxwell Para Simples Indexação

Título
[en] BORON INCORPORATION INTO GRAPHENE SINGLE LAYER PREPARED BY CVD USING LIQUID PRECURSOR

Título
[pt] INCORPORAÇÃO DE BORO EM GRAFENO DE CAMADA SIMPLES CRESCIDO POR CVD UTILIZANDO PRECURSOR LÍQUIDO

Autor
[pt] ERIC CARDONA ROMANI

Vocabulário
[pt] ESPECTROSCOPIA RAMAN

Vocabulário
[pt] ESPECTROSCOPIA DE ELETRONS INDUZIDA POR RAIOS-X

Vocabulário
[pt] GRAFENO DOPADO COM BORO

Vocabulário
[pt] CVD

Vocabulário
[en] RAMAN SPECTROSCOPY

Vocabulário
[en] CVD

Resumo
[pt] Nesta tese descrevemos a preparação de grafeno, puro e dopado com boro, de camadas simples como também a produção de duas ou mais camadas de grafeno. O processo de transferência para outros substratos é discutido objetivando aplicações futuras. Descrevemos também a caracterização morfológica utilizando a microscopia eletrônica de varredura por emissão de campo (FESEM). Espectroscopia Raman e por fotoelétrons induzidas por raios x (XPS) foram utilizadas para detectar e quantificar a dopagem com boro em amostras crescidas sobre substratos de cobre e transferidas para substratos de quartzo. Os resultados indicaram que a temperatura, pressão e tempo de crescimento são de fundamental importância para a síntese de grafeno, tendo sido realizado um estudo para formação a diferentes temperaturas, pressões e tempos de crescimento. Análises por XPS e por Raman indicaram que a maioria das amostras foram dopadas com boro de forma substitucional, apresentando também outros tipos de ambientes químicos na amostra, além das bandas G e 2D terem se deslocado para vermelho, que é um indicativo de dopagem.

Resumo
[en] This thesis describes the preparation of pure and boron doped single layer graphene but, also graphene of two or more layers. The process of transfer to other substrates is discussed aiming future applications. We also describe the morphological characterization using field emission scanning electron microscopy (FESEM). Raman spectroscopy and x-ray induced photoelectron spectroscopy (XPS) were used to detect and quantify the doping with boron in the samples grown on copper substrate and transferred onto quartz substrates. The results indicated that the temperature, pressure and time of growth are crucial for graphene synthesis and we conducted a study in order to test different synthesis conditions: temperatures, pressures and times of growth. Analysis by XPS and Raman spectroscopy indicated that the majority of the samples were doped with boron in a substitution manner, also presenting other types of chemical environments in the sample in addition to the G and 2D bands had shifted to red, which is indicative of doping.

Orientador(es)
FERNANDO LAZARO FREIRE JUNIOR

Banca
FERNANDO LAZARO FREIRE JUNIOR

Banca
MARCELO EDUARDO HUGUENIN MAIA DA COSTA

Banca
ANDRE SANTAROSA FERLAUTO

Banca
CRISTIANO FANTINI LEITE

Banca
DANIEL LORSCHEITTER BAPTISTA

Catalogação
2016-01-22

Apresentação
2015-02-27

Tipo
[pt] TEXTO

Formato
application/pdf

Idioma(s)
PORTUGUÊS

Referência [pt]
https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=25663@1

Referência [en]
https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=25663@2

Referência DOI
https://doi.org/10.17771/PUCRio.acad.25663


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