[pt] CRESCIMENTO DE PONTOS QUÂNTICOS DAS FAMÍLIAS INAS/INP, INAS/INGAAS E INAS/INGAALAS PARA FOTODETECTORES DE RADIAÇÃO INFRAVERMELHA

[en] GROWTH OF QUANTUM DOT TO THE FAMILIES INAS/INP, INAS/INGAAS E INAS/INGAALAS FOR FOTODETECTORS OF INFRARED RADIATION

[pt] ARTUR JORGE DA SILVA LOPES

[pt] PONTOS QUANTICOS

[pt] INFRAVERMELHO

[pt] FOTODETECTOR

[en] QUANTUM DOTS

[en] INFRARED

[en] PHOTODETECTOR

[pt] Pontos quânticos (PQs) auto-organizáveis de InAs sobre InP, InGaAs, InGaAlAs utilizando-se substratos de InP foram crescidos pela deposição química de metal-orgânicos (MOCVD) e foram investigadas para fotodetectores. Para PQs de InAs crescidos sobre diferentes substratos de InP, têm-se que a presença de discordâncias é responsável pelo aumento na densidade planar dos PQs. O espectro de fotoluminescência (FL) das estruturas de InP/InxGa1-xAs/InAs/InP, com diferentes composições da camada ternária. Medidas com microscopia de força atômica (AFM) mostraram que os PQs mais altos são obtidos quando os mesmos são crescidos sobre uma camada de InxGa1-xAs com um descasamento de 1000ppm, e a altura decresce com o descasamento a partir deste valor. O espectro de FL dos PQs mostrou uma banda assimétrica, a qual envolve transições entre os níveis de energia dos PQs e pode ser decomposta em dois picos. Pico de energia mais alta desta banda foi observado para a amostra com PQs crescidos sobre uma camada de InxGa1-xAs casada e o pico foi deslocado para energias mais baixas para amostras tensionadas. Estruturas diferentes de PQ de InAs crescidas sobre uma camada de InGaAlAs casada com InP foram investigadas. Picos de fotocorrente extremamente estreitos foram observados, demonstrando um excelente potencial para sintonização estreita de comprimentos de onda. Foram desenvolvidas estruturas para detectar radiação superior à 10μm. Medidas de absorção mostrando uma dependência com a polarização mostraram eu as estruturas tem um confinamento total e são apropriadas para detecção sintonizável de radiação por incidência normal.

[en] Self-assembled InAs quantum dots (QD) over an InP, InGaAs, InGaAlAs on InP substrates were grown by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) and were investigated for quantum dot infrared photodetectors. For InAs QD over an InP buffer on different InP substrates. The results indicate that the presence of dislocations were responsible for the increase in the QD density. Photoluminescence (PL) spectra of InP/InxGa1-xAs/InAs/InP dot-in-a-well structures, with different compositions of the ternary layer. Measurements with atomic force microscopy showed that the largest QD height is obtained when the InAs QDs are grown on the InxGa1-xAs layer with a mismatch of 1000ppm, and the height decreases as the mismatch departs from this value. PL spectra of the QDs showed an asymmetric band, which involves transitions between dot energy levels and can be deconvoluted into two peaks. The highest energy PL peak of this band was observed for the sample with the QDs grown on top of the lattice-matched InxGa1-xAs and it shifted to lower energies for strained samples as the degree of mismatch increased. Different InAs quantum dot structures grown on InGaAlAs lattice matched to InP. Extremely narrow photocurrent peaks were observed, demonstrating great potential for fine wavelenght selection. Structures which can detect radiation beyond 10ìm were developed. Polarization dependence measurements showed that the structures have a zero- dimensional character and are suitable for detection of normal incidence light.

PATRICIA LUSTOZA DE SOUZA

PATRICIA LUSTOZA DE SOUZA

SANDRA MARCELA LANDI

EUCLYDES MAREGA JUNIOR

MAURICIO PAMPLONA PIRES

WAGNER NUNES RODRIGUES

2008-10-03

2007-12-05

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PORTUGUÊS

https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=12288@1

https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=12288@2

https://doi.org/10.17771/PUCRio.acad.12288