$$\newcommand{\bra}[1]{\left<#1\right|}\newcommand{\ket}[1]{\left|#1\right>}\newcommand{\bk}[2]{\left<#1\middle|#2\right>}\newcommand{\bke}[3]{\left<#1\middle|#2\middle|#3\right>}$$
INFORMAÇÕES SOBRE DIREITOS AUTORAIS


As obras disponibilizadas nesta Biblioteca Digital foram publicadas sob expressa autorização dos respectivos autores, em conformidade com a Lei 9610/98.

A consulta aos textos, permitida por seus respectivos autores, é livre, bem como a impressão de trechos ou de um exemplar completo exclusivamente para uso próprio. Não são permitidas a impressão e a reprodução de obras completas com qualquer outra finalidade que não o uso próprio de quem imprime.

A reprodução de pequenos trechos, na forma de citações em trabalhos de terceiros que não o próprio autor do texto consultado,é permitida, na medida justificada para a compreeensão da citação e mediante a informação, junto à citação, do nome do autor do texto original, bem como da fonte da pesquisa.

A violação de direitos autorais é passível de sanções civis e penais.
Coleção Digital

Avançada


Formato DC|



Título: DESIGN OF LOW POWER ANALOG CMOS CELLS FROM TRANSISTORS BIAS IN WEAK INVERSION
Instituição: PONTIFÍCIA UNIVERSIDADE CATÓLICA DO RIO DE JANEIRO - PUC-RIO
Autor(es): FABIO DE ALMEIDA SALAZAR

Colaborador(es):  MARLEY MARIA BERNARDES REBUZZI VELLASCO - Orientador
MARCO AURELIO CAVALCANTI PACHECO - Orientador
JULIO CESAR GOMES PIMENTEL - Coorientador
Número do Conteúdo: 8599
Catalogação:  28/06/2006 Idioma(s):  PORTUGUESE - BRAZIL

Tipo:  TEXT Subtipo:  THESIS
Natureza:  SCHOLARLY PUBLICATION
Nota:  Todos os dados constantes dos documentos são de inteira responsabilidade de seus autores. Os dados utilizados nas descrições dos documentos estão em conformidade com os sistemas da administração da PUC-Rio.
Referência [pt]:  https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=8599@1
Referência [en]:  https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=8599@2
Referência DOI:  https://doi.org/10.17771/PUCRio.acad.8599

Resumo:
Low power supply consumption hás become one of the main issue in eletronic industry for many product áreas such as cellular telephones, portable personal computers and biomedical implants. The aim of this work is to investigate the main drawbacks involved in the design of CMOS analog cells biased in weak inversion. Biasing a cell in weak inversion makes it possible to archieve a power consumption that is one thousandth lower than common analog cells designed to operate in strong inversion. This work has involved the following subject: a study of models for MOS transistors operating in weak inversion and strong inversion regions; a methodology to convert LEVEL 2 Spice model to EKV model; study of basic analog cell blocks suitable to low power mixed mode IC design; design methodology for low power analog cells; comparison between these cells and some commercial ones; study of analog layout techniques. Firstly, this work reviews the state-of-art of analog cell design including MOS transistor operation and modeling in the weak inversion region. Secondly we discuss the operation of some basic structures, such as current mirors and differential amplifiers, biased in weak inversion. This study helped us to understand the benefits and drawbacks involved in working with MOS transistors biased in this region. Next we describe a methodology to convert process parameters suppied by the foundries, usually LEVEL 2 Spice model, to the EKV model that was developed by EPFL (Swiss Federal Institute of Technology - Lausanne). Since EKV model is continuous in all regions, we expect to archieve better agreement between simulation results and manufacturing results. In order to test and validate the design methodology we chose to develop first a set of cells for this foundry comforming to a foundry with expertise in low voltage analog cell design. These tests were carried ou through standardized hierarchical simulation files in order to decrease the total number of simulatiom files required. Finally, we present some techniques for the layout of analog cells that improve circuit sensibility to transistor mismatching and process variation. The work shows us that it is feasible to design low power analog circuit using MOS transistors operating in weak inversion region. The methodology was even able to synthesize cells that are similar in performance to commercial ones. Therefore, it is possible to develop a çow power analog cell library which is suitable to designing application specific integrated circuits.

Descrição Arquivo
COVER, ACKNOWLEDGEMENTS, RESUMO, ABSTRACT, SUMMARY AND LISTS  PDF  
CHAPTER 1  PDF  
CHAPTER 2  PDF  
CHAPTER 3  PDF  
CHAPTER 4  PDF  
CHAPTER 5  PDF  
CHAPTER 6  PDF  
REFERENCES  PDF  
APPENDICES  PDF  
Agora você pode usar seu login do SAU no Maxwell!!
Fechar Janela



* Esqueceu a senha:
Senha SAU, clique aqui
Senha Maxwell, clique aqui