XINFORMAÇÕES SOBRE DIREITOS AUTORAIS
As obras disponibilizadas nesta Biblioteca Digital foram publicadas sob expressa autorização dos respectivos autores, em conformidade com a Lei 9610/98.
A consulta aos textos, permitida por seus respectivos autores, é livre, bem como a impressão de trechos ou de um exemplar completo exclusivamente para uso próprio. Não são permitidas a impressão e a reprodução de obras completas com qualquer outra finalidade que não o uso próprio de quem imprime.
A reprodução de pequenos trechos, na forma de citações em trabalhos de terceiros que não o próprio autor do texto consultado,é permitida, na medida justificada para a compreeensão da citação e mediante a informação, junto à citação, do nome do autor do texto original, bem como da fonte da pesquisa.
A violação de direitos autorais é passível de sanções civis e penais.
As obras disponibilizadas nesta Biblioteca Digital foram publicadas sob expressa autorização dos respectivos autores, em conformidade com a Lei 9610/98.
A consulta aos textos, permitida por seus respectivos autores, é livre, bem como a impressão de trechos ou de um exemplar completo exclusivamente para uso próprio. Não são permitidas a impressão e a reprodução de obras completas com qualquer outra finalidade que não o uso próprio de quem imprime.
A reprodução de pequenos trechos, na forma de citações em trabalhos de terceiros que não o próprio autor do texto consultado,é permitida, na medida justificada para a compreeensão da citação e mediante a informação, junto à citação, do nome do autor do texto original, bem como da fonte da pesquisa.
A violação de direitos autorais é passível de sanções civis e penais.
Coleção Digital
Título: STUDY OF THE CHARACTERISTICS OF MODULATORS OF AMPLITUDE MANUFACTURED WITH SEMICONDUCTING STRUCTURES INALAS/INGAAS AND ALGAAS/GAAS MQW Autor: MARIA CRISTINA LOPEZ AREIZA
Instituição: PONTIFÍCIA UNIVERSIDADE CATÓLICA DO RIO DE JANEIRO - PUC-RIO
Colaborador(es):
PATRICIA LUSTOZA DE SOUZA - ADVISOR
Nº do Conteudo: 6857
Catalogação: 16/08/2005 Idioma(s): PORTUGUESE - BRAZIL
Tipo: TEXT Subtipo: THESIS
Natureza: SCHOLARLY PUBLICATION
Nota: Todos os dados constantes dos documentos são de inteira responsabilidade de seus autores. Os dados utilizados nas descrições dos documentos estão em conformidade com os sistemas da administração da PUC-Rio.
Referência [pt]: https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=6857@1
Referência [en]: https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=6857@2
Referência DOI: https://doi.org/10.17771/PUCRio.acad.6857
Resumo:
Título: STUDY OF THE CHARACTERISTICS OF MODULATORS OF AMPLITUDE MANUFACTURED WITH SEMICONDUCTING STRUCTURES INALAS/INGAAS AND ALGAAS/GAAS MQW Autor: MARIA CRISTINA LOPEZ AREIZA
Nº do Conteudo: 6857
Catalogação: 16/08/2005 Idioma(s): PORTUGUESE - BRAZIL
Tipo: TEXT Subtipo: THESIS
Natureza: SCHOLARLY PUBLICATION
Nota: Todos os dados constantes dos documentos são de inteira responsabilidade de seus autores. Os dados utilizados nas descrições dos documentos estão em conformidade com os sistemas da administração da PUC-Rio.
Referência [pt]: https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=6857@1
Referência [en]: https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=6857@2
Referência DOI: https://doi.org/10.17771/PUCRio.acad.6857
Resumo:
In this thesis work, is made an evaluation of modulators of
amplitude based
in the electrum-absorption effect. The structures used for
the devices were
multiple quantum wells of InAlAs/InGaAs and AlGaAs/GaAs.
The structures of
InAlAs/InGaAs are used to work in the commercial band of the
telecommunications (1,55 µm). This is the reason it is
important to optimize the
parameters of performance of the device, such as the Stark
shift, chirp, contrast
reason, insertion loss, etc. Previously, a systematic study
of these structures was
made by [Pires, 1998], the gallium concentration was varied
to produce a strain in
the structure and to modify the optic properties of the
material. In the study of
[Pires, 1998] considered the Gallium concentration was
varied between 46 percent and
52 percent in which range the best condition to operate the device
can be found. This is
part of the work here presented. In this thesis this range
of values was studied in
more detail. For the structures of AlGaAs/GaAs, a
theoretical proposal of [Batty et
al, 1993] was experimentally investigated. It was suggested
a nipi structure to
use a fine delta doped in the GaAs wells, this delta
doped will improve in 87 percent
the Stark shift for a field of 40 KV/cm. The device was
simulated and
manufactured, obtaining a value of 78 percent for the same field
applied, this is a
excellent result, because this confirm the theoretical
prediction.
