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A violação de direitos autorais é passível de sanções civis e penais.
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Coleção Digital
Título: TECNOLOGIAS ALTERNATIVAS PARA FABRICAÇÃO DE CÉLULAS SOLARES DE ELEVADA EFICIÊNCIA COM REDUÇÃO DE CUSTO E CONSUMO DE GE Autor: EDGARD WINTER DA COSTA
Instituição: PONTIFÍCIA UNIVERSIDADE CATÓLICA DO RIO DE JANEIRO - PUC-RIO
Colaborador(es):
PATRICIA LUSTOZA DE SOUZA - ORIENTADOR
Nº do Conteudo: 61562
Catalogação: 15/12/2022 Liberação: 15/12/2022 Idioma(s): PORTUGUÊS - BRASIL
Tipo: TEXTO Subtipo: TESE
Natureza: PUBLICAÇÃO ACADÊMICA
Nota: Todos os dados constantes dos documentos são de inteira responsabilidade de seus autores. Os dados utilizados nas descrições dos documentos estão em conformidade com os sistemas da administração da PUC-Rio.
Referência [pt]: https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=61562@1
Referência [en]: https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=61562@2
Referência DOI: https://doi.org/10.17771/PUCRio.acad.61562
Resumo:
Título: TECNOLOGIAS ALTERNATIVAS PARA FABRICAÇÃO DE CÉLULAS SOLARES DE ELEVADA EFICIÊNCIA COM REDUÇÃO DE CUSTO E CONSUMO DE GE Autor: EDGARD WINTER DA COSTA
Nº do Conteudo: 61562
Catalogação: 15/12/2022 Liberação: 15/12/2022 Idioma(s): PORTUGUÊS - BRASIL
Tipo: TEXTO Subtipo: TESE
Natureza: PUBLICAÇÃO ACADÊMICA
Nota: Todos os dados constantes dos documentos são de inteira responsabilidade de seus autores. Os dados utilizados nas descrições dos documentos estão em conformidade com os sistemas da administração da PUC-Rio.
Referência [pt]: https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=61562@1
Referência [en]: https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=61562@2
Referência DOI: https://doi.org/10.17771/PUCRio.acad.61562
Resumo:
Substratos de germânio (Ge) são utilizados para o crescimento de
dispositivos optoeletrônicos III-V, como células solares. Porém, o Ge é uma
matéria-prima crítica devido à sua disponibilidade limitada. Além disso,
o substrato de Ge representa cerca de 30-40 por cento dos custos totais de uma
célula solar de junção tripla. Neste trabalho, foram crescidas amostras e
células solares III-V sobre substratos de Ge com diferentes tecnologias (tec).
Três diferentes tecs foram investigadas: 1) utilizando substratos de Ge com
camadas porosas para crescer materiais III-V, sendo que a camada porosa é
retirada para que o substrato possa ser reutilizado; 2) utilizando substratos
mais finos e com menos processos de finalização da superfície, o que a deixa
mais rugosa comparada a substratos comerciais; 3) substituindo o substrato
de Ge por substratos alternativos que compreendam outros elementos, como
um substrato de Si onde é depositado um buffer metamórfico de SiGe, no
qual o parâmetro de rede foi ajustado até o chegar no de Si0.1Ge0.9. Os
substratos utilizados não são perfeitos como os substratos comerciais de Ge
e podem gerar defeitos nas camadas de III-V subsequentes. Para investigar
a influência desses substratos nas camadas III-V foram crescidas heteroestruturas
duplas (HED) de AlGaInAs/GaInAs nos substratos das tecs 1 e
2 e HED de AlGaAs/GaAs nos substratos da tec 3. Suas propriedades foram
avaliadas com AFM para obter a rugosidade média quadrática e possíveis
defeitos da superfície, catodoluminescência para estimar a densidade de
defeitos na estrutura e Electron Channeling Contrast Imaging para
identificar os tipos de defeitos encontrados com CL. Além disso, para as
amostras crescidas sobre os substratos tec 1, suas composições e espessuras
foram investigadas por XRD e com fotoluminescência resolvida no tempo
avaliou-se o tempo de vida dos elétrons. Nos substratos das tecs 2 e
3 também foram crescidas células solares de junção tripla, que foram
processadas e caracterizadas por curvas I-V e EQE. Os resultados obtidos
com todas as tecs levam a uma perspectiva otimista para um futuro com
células solares mais baratas e que utilizem menos Ge.
Descrição | Arquivo |
NA ÍNTEGRA |