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A violação de direitos autorais é passível de sanções civis e penais.
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Coleção Digital
Título: THE ROLE OF DEFECTS ON THE EFFICIENCY OF INTERMEDIATE BAND SOLAR CELLS BASED ON III-V SEMICONDUCTORS Autor: LIDA JANETH COLLAZOS PAZ
Instituição: PONTIFÍCIA UNIVERSIDADE CATÓLICA DO RIO DE JANEIRO - PUC-RIO
Colaborador(es):
PATRICIA LUSTOZA DE SOUZA - ADVISOR
MAURICIO PAMPLONA PIRES - CO-ADVISOR
Nº do Conteudo: 51479
Catalogação: 09/02/2021 Idioma(s): ENGLISH - UNITED STATES
Tipo: TEXT Subtipo: THESIS
Natureza: SCHOLARLY PUBLICATION
Nota: Todos os dados constantes dos documentos são de inteira responsabilidade de seus autores. Os dados utilizados nas descrições dos documentos estão em conformidade com os sistemas da administração da PUC-Rio.
Referência [pt]: https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=51479@1
Referência [en]: https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=51479@2
Referência DOI: https://doi.org/10.17771/PUCRio.acad.51479
Resumo:
Título: THE ROLE OF DEFECTS ON THE EFFICIENCY OF INTERMEDIATE BAND SOLAR CELLS BASED ON III-V SEMICONDUCTORS Autor: LIDA JANETH COLLAZOS PAZ
MAURICIO PAMPLONA PIRES - CO-ADVISOR
Nº do Conteudo: 51479
Catalogação: 09/02/2021 Idioma(s): ENGLISH - UNITED STATES
Tipo: TEXT Subtipo: THESIS
Natureza: SCHOLARLY PUBLICATION
Nota: Todos os dados constantes dos documentos são de inteira responsabilidade de seus autores. Os dados utilizados nas descrições dos documentos estão em conformidade com os sistemas da administração da PUC-Rio.
Referência [pt]: https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=51479@1
Referência [en]: https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=51479@2
Referência DOI: https://doi.org/10.17771/PUCRio.acad.51479
Resumo:
Defects present in structures of intermediate band (IB) solar cells of
GaAs with InAs quantum dots (QDs) grown by MOVPE have been investigated.
The three studied IB solar cells differ in the growth temperature of
the spacer layers that separate the InAs QD layers in the active region and
the thickness of the thin layer that capping each QD layer. Previously, the
energy conversion efficiencies of these cells were measured and the cell with
the highest spacer layer-growth temperature (700 C degrees) and thinner capping
layer (3 nm) showed the highest efficiency, about 6.9 percent. The cells with thicker
capping layers (6 nm) showed lower efficiencies, one of them, with spacer
layers grown at 700 C degrees, reaching 5.1 percent, and the other one, with spacer layers
grown at 600 C degrees, reaching only 2.8 percent. In this work, DLTS and Laplace DLTS
studies show that the cell with the lowest efficiency has the largest number
and highest concentrations of defects, unlike the other two cells, which have
only one trap, EL2, in lower concentrations. These results demonstrate that
the different growth conditions are determinant for the formation of defects
and that the defect reduction leads to the increase of the IB solar cell efficiencies.
Other samples were also grown and studied by the same techniques:
three solar cells with identical structure as the IB solar cells, but without
QDs, and individually doped GaAs samples that represent the p and n contact
sides of the IB solar cells. From the study of the cells without QDs,
the origin of some defects in the IB solar cells was found to be related to
the QD growth conditions or related to the spacer layer-growth temperature.
The study of the GaAs samples indicated the presence of defects in
the p and n sides that could trap photo-excited carriers collected through
these contacts during cell operation and thus reduce the efficiency. The results
of this work allow developing new strategies to improve the epitaxial
growth quality of IB solar cells in the laboratory of semiconductors LabSem
of PUC-Rio where the studied samples were grown.
| Descrição | Arquivo |
| COMPLETE |
