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Título: TWO COLOR PHOTODETECTOR BASED ON ASYMMETRIC SUPERLATTICE
Autor: VITOR BENTO DE SOUSA
Instituição: PONTIFÍCIA UNIVERSIDADE CATÓLICA DO RIO DE JANEIRO - PUC-RIO
Colaborador(es):  PATRICIA LUSTOZA DE SOUZA - Orientador
GERMANO MAIOLI PENELLO - Co-Orientador

Nº do Conteudo: 49584
Catalogação:  24/09/2020 Idioma(s):  PORTUGUESE - BRAZIL
Tipo:  TEXT Subtipo:  THESIS
Natureza:  SCHOLARLY PUBLICATION
Nota:  Todos os dados constantes dos documentos são de inteira responsabilidade de seus autores. Os dados utilizados nas descrições dos documentos estão em conformidade com os sistemas da administração da PUC-Rio.
Referência [pt]:  https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=49584@1
Referência [en]:  https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=49584@2
Referência DOI:  https://doi.org/10.17771/PUCRio.acad.49584

Resumo:
Opto-electronic devices are semiconductor elements that convert electromagnetic radiation in electric current. Photodetectors are devices of this type, which are the main relevant ones today due to their diverse applications. Current research focuses on the study of photodetectors based on quantum wells for operation in the medium infrared (2-20 m), more specifically with superlattices. In the present work a photodetector of two cores based on asymmetric superlattice was developed. The built-in photodetector had a superlattice with two sessions The first session had five quantum wells and five barriers with 2 nm and 3.5 nm of thickness, respectively. The second session had five quantum wells and five barriers of 2 nm and 7 nm thick, respectively. Between the sessions there is a 2.5 nm quantum well. The material that formed the quantum wells was InGaAs and the material of the barriers was AlInAs. This device was able to operate as a dual color photodetector operating in the photovoltaic mode detecting radiation of 309 meV and 415 meV. The device was able to operate at high temperatures. The maximum operating temperature was 245 K. In addition, when applying voltages to the device, it is possible to select the detection energy of the photodetector :309 meV or 415 meV.

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