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Título: SÍNTESE DE PÓS DE NITRETO DE GÁLIO POR REAÇÃO GÁS-SÓLIDO UTILIZANDO CARBONO COMO AGENTE REDUTOR
Autor: BRUNO CAVALCANTE DI LELLO
Instituição: PONTIFÍCIA UNIVERSIDADE CATÓLICA DO RIO DE JANEIRO - PUC-RIO
Colaborador(es):  FRANCISCO JOSE MOURA - ORIENTADOR
HELIO MARQUES KOHLER - COORIENTADOR

Nº do Conteudo: 4002
Catalogação:  13/10/2003 Idioma(s):  PORTUGUÊS - BRASIL
Tipo:  TEXTO Subtipo:  TESE
Natureza:  PUBLICAÇÃO ACADÊMICA
Nota:  Todos os dados constantes dos documentos são de inteira responsabilidade de seus autores. Os dados utilizados nas descrições dos documentos estão em conformidade com os sistemas da administração da PUC-Rio.
Referência [pt]:  https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=4002@1
Referência [en]:  https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=4002@2
Referência DOI:  https://doi.org/10.17771/PUCRio.acad.4002

Resumo:
O nitreto de gálio (GaN) é um dos mais interessantes e promissores materiais para aplicação em dispositivos óptico- eletrônicos. GaN pode ser usado para a fabricação de diodos e lasers azuis. O desenvolvimento deste tipo de material está relacionado com três campos principais: 1) deposição de camadas de GaN cristalino; 2) produção de nano- filamentos a partir de reações confinadas no interior de nanotubos de carbono; 3) síntese de GaN em pó por diferentes métodos químicos. Recentemente, novas técnicas de deposição adotaram a sublimação de pós de GaN como fonte de gálio para a produção de nanofilamentos de GaN, filmes finos ou cristais. Estes métodos de sublimação mostram a necessidade do emprego de pós de GaN. No presente trabalho, é apresentada uma nova rota para a produção de pós de GaN a partir da reação gás-sólido entre Ga2O3 e NH3(g) utilizando o carbono como agente redutor no interior de um novo tipo de reator, disposto verticalmente. A partir desta rota obteve-se pós de GaN com conversões aproximadamente de 100% e com estrutura cristalina hexagonal. A quantidade de GaN obtida variou de acordo com os parâmetros experimentais adotados. Através de uma análise estatística foi possível determinar a influência da temperatura, razão molar de carbono/Ga2O3 e do tempo experimental sobre a taxa de produção de GaN.

Descrição Arquivo
INTRODUÇÃO  PDF
CAPÍTULO 2  PDF
CAPÍTULO 3  PDF
CAPÍTULO 4  PDF
CAPÍTULO 5  PDF
CAPÍTULO 6  PDF
CONTINUAÇÃO DO CAPÍTULO 6  PDF
CONTINUAÇÃO DO CAPÍTULO 6  PDF
CONCLUSÃO  PDF
REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS  PDF
APÊNDICES 1, 2, 3  PDF
APÊNDICE 4  PDF
APÊNDICE 5  PDF
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