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A violação de direitos autorais é passível de sanções civis e penais.
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Coleção Digital
Título: TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO (MOSFET) - PARTE 3 Autor: GUILHERME PENELLO TEMPORAO
Instituição: -
Colaborador(es):
-
Nº do Conteudo: 22453
Catalogação: 03/02/2014 Liberação: 03/02/2014 Idioma(s): PORTUGUÊS - BRASIL
Tipo: IMAGEM EM MOVIMENTO Subtipo: AULA
Natureza: EDUCACIONAL
Nota: Objeto tem trilha de áudio e não está legendado ou traduzido em LIBRAS.
Nota: Todos os dados constantes dos documentos são de inteira responsabilidade de seus autores. Os dados utilizados nas descrições dos documentos estão em conformidade com os sistemas da administração da PUC-Rio.
Referência [pt]: https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=22453&idi=1
Referência [en]: https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=22453&idi=2
Resumo:
Título: TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO (MOSFET) - PARTE 3 Autor: GUILHERME PENELLO TEMPORAO
Nº do Conteudo: 22453
Catalogação: 03/02/2014 Liberação: 03/02/2014 Idioma(s): PORTUGUÊS - BRASIL
Tipo: IMAGEM EM MOVIMENTO Subtipo: AULA
Natureza: EDUCACIONAL
Nota: Objeto tem trilha de áudio e não está legendado ou traduzido em LIBRAS.
Nota: Todos os dados constantes dos documentos são de inteira responsabilidade de seus autores. Os dados utilizados nas descrições dos documentos estão em conformidade com os sistemas da administração da PUC-Rio.
Referência [pt]: https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=22453&idi=1
Referência [en]: https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=22453&idi=2
Resumo:
É introduzido o MOSFET canal p (PMOS) como o complementar ao MOSFET canal n (NMOS), assim como sua combinação em um único dispositivo conhecido como CMOS.
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