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A violação de direitos autorais é passível de sanções civis e penais.
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Coleção Digital
Título: METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTORS (MOSFETS) – PART 3 Autor: EDUARDO COSTA DA SILVA
Instituição: -
Colaborador(es):
-
Nº do Conteudo: 22229
Catalogação: 06/11/2013 Idioma(s): PORTUGUESE - BRAZIL
Tipo: TEXT Subtipo: TEXT
Natureza: SCHOLARLY PUBLICATION
Nota: Todos os dados constantes dos documentos são de inteira responsabilidade de seus autores. Os dados utilizados nas descrições dos documentos estão em conformidade com os sistemas da administração da PUC-Rio.
Referência [pt]: https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=22229@1
Referência [en]: https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=22229@2
Resumo:
Título: METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTORS (MOSFETS) – PART 3 Autor: EDUARDO COSTA DA SILVA
Nº do Conteudo: 22229
Catalogação: 06/11/2013 Idioma(s): PORTUGUESE - BRAZIL
Tipo: TEXT Subtipo: TEXT
Natureza: SCHOLARLY PUBLICATION
Nota: Todos os dados constantes dos documentos são de inteira responsabilidade de seus autores. Os dados utilizados nas descrições dos documentos estão em conformidade com os sistemas da administração da PUC-Rio.
Referência [pt]: https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=22229@1
Referência [en]: https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=22229@2
Resumo:
This is the third part of the lecture notes covering the topic of Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors (MOSFETs), presented in the class ENG1444 (Analog Electronics) at PUC-Rio. The text presents and describes the high-frequency model of MOSFETs. The main characteristics and operation aspects of depletion-type MOSFETs are discussed, and compared to those previously shown for the enhancement-type MOSFET.
| Descrição | Arquivo |
| COMPLETE |
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