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A violação de direitos autorais é passível de sanções civis e penais.
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Coleção Digital
Título: A NATUREZA DA DEFORMAÇÃO PLÁSTICA EM SEMICONDUTORES III-V RESULTANTE DA NANOLITOGRAFIA POR MICROSCOPIA DE FORÇA ATÔMICA Autor: PAULA GALVAO CALDAS
Instituição: PONTIFÍCIA UNIVERSIDADE CATÓLICA DO RIO DE JANEIRO - PUC-RIO
Colaborador(es):
RODRIGO PRIOLI MENEZES - ORIENTADOR
Nº do Conteudo: 18861
Catalogação: 28/12/2011 Idioma(s): PORTUGUÊS - BRASIL
Tipo: TEXTO Subtipo: TESE
Natureza: PUBLICAÇÃO ACADÊMICA
Nota: Todos os dados constantes dos documentos são de inteira responsabilidade de seus autores. Os dados utilizados nas descrições dos documentos estão em conformidade com os sistemas da administração da PUC-Rio.
Referência [pt]: https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=18861@1
Referência [en]: https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=18861@2
Referência DOI: https://doi.org/10.17771/PUCRio.acad.18861
Resumo:
Título: A NATUREZA DA DEFORMAÇÃO PLÁSTICA EM SEMICONDUTORES III-V RESULTANTE DA NANOLITOGRAFIA POR MICROSCOPIA DE FORÇA ATÔMICA Autor: PAULA GALVAO CALDAS
Nº do Conteudo: 18861
Catalogação: 28/12/2011 Idioma(s): PORTUGUÊS - BRASIL
Tipo: TEXTO Subtipo: TESE
Natureza: PUBLICAÇÃO ACADÊMICA
Nota: Todos os dados constantes dos documentos são de inteira responsabilidade de seus autores. Os dados utilizados nas descrições dos documentos estão em conformidade com os sistemas da administração da PUC-Rio.
Referência [pt]: https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=18861@1
Referência [en]: https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=18861@2
Referência DOI: https://doi.org/10.17771/PUCRio.acad.18861
Resumo:
Neste trabalho foi estudada a deformação mecânica em
semicondutores III-V resultante da nanolitografia por microscopia de força
atômica (AFM). O AFM, equipado com uma ponta de diamante de raio de
curvatura de 80 nm, foi usado para riscar a superfície do InP com forças
da ordem de dezenas de mN ao longo de direções cristalográficas
específicas. O padrão litografado na superfície foi caracterizado com o
uso do AFM, enquanto uma análise da microestrutura do material foi feita
com o uso da microscopia eletrônica de transmissão (MET). Foi realizado
um estudo da deformação mecânica ao riscarmos o InP (100) com o uso
do AFM utilizando forças normais variando de 7 uN a 120 uN e em
direções cristalográficas das famílias <110> e <100>. Foi visto por MET,
que é mais fácil produzir deformação plástica para riscos feitos na direção
<110> do que na direção <100>, o que associamos à diferença na
orientação dos vetores de Burgers ativados para os planos de
escorregamento do InP para riscos ao longo das diferentes direções. Foi
realizado também um estudo da influência da distância entre dois riscos
consecutivos, feitos com o uso do AFM com força normal de 30 uN, no
endurecimento por deformação plástica. Um significante endurecimento
foi observado para distâncias entre riscos menores que 80 nm indicando
que ocorre travamento entre discordâncias geradas por sucessivos riscos
a distâncias menores que 80 nm.