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Coleção Digital
Título: CRESCIMENTO DE PONTOS QUÂNTICOS DAS FAMÍLIAS INAS/INP, INAS/INGAAS E INAS/INGAALAS PARA FOTODETECTORES DE RADIAÇÃO INFRAVERMELHA Instituição: PONTIFÍCIA UNIVERSIDADE CATÓLICA DO RIO DE JANEIRO - PUC-RIO Autor: ARTUR JORGE DA SILVA LOPES
Colaborador(es): PATRICIA LUSTOZA DE SOUZA - Orientador
Número do Conteúdo: 12288
Catalogação: 03/10/2008 Idioma(s): PORTUGUÊS - BRASIL
Tipo: TEXTO Subtipo: TESE
Natureza: PUBLICAÇÃO ACADÊMICA
Nota: Todos os dados constantes dos documentos são de inteira responsabilidade de seus autores. Os dados utilizados nas descrições dos documentos estão em conformidade com os sistemas da administração da PUC-Rio.
Referência [pt]: https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=12288@1
Referência [en]: https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=12288@2
Referência DOI: https://doi.org/10.17771/PUCRio.acad.12288
Resumo:
Título: CRESCIMENTO DE PONTOS QUÂNTICOS DAS FAMÍLIAS INAS/INP, INAS/INGAAS E INAS/INGAALAS PARA FOTODETECTORES DE RADIAÇÃO INFRAVERMELHA Instituição: PONTIFÍCIA UNIVERSIDADE CATÓLICA DO RIO DE JANEIRO - PUC-RIO Autor: ARTUR JORGE DA SILVA LOPES
Colaborador(es): PATRICIA LUSTOZA DE SOUZA - Orientador
Número do Conteúdo: 12288
Catalogação: 03/10/2008 Idioma(s): PORTUGUÊS - BRASIL
Tipo: TEXTO Subtipo: TESE
Natureza: PUBLICAÇÃO ACADÊMICA
Nota: Todos os dados constantes dos documentos são de inteira responsabilidade de seus autores. Os dados utilizados nas descrições dos documentos estão em conformidade com os sistemas da administração da PUC-Rio.
Referência [pt]: https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=12288@1
Referência [en]: https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=12288@2
Referência DOI: https://doi.org/10.17771/PUCRio.acad.12288
Resumo:
Pontos quânticos (PQs) auto-organizáveis de InAs sobre InP,
InGaAs, InGaAlAs utilizando-se substratos de InP foram
crescidos pela deposição química de metal-orgânicos (MOCVD)
e foram investigadas para fotodetectores. Para PQs
de InAs crescidos sobre diferentes substratos de InP, têm-se
que a presença de discordâncias é responsável pelo aumento
na densidade planar dos PQs. O espectro de fotoluminescência
(FL) das estruturas de InP/InxGa1-xAs/InAs/InP, com
diferentes composições da camada ternária. Medidas com
microscopia de força atômica (AFM) mostraram que os PQs mais
altos são obtidos quando os
mesmos são crescidos sobre uma camada de InxGa1-xAs com um
descasamento de 1000ppm, e a altura decresce com o
descasamento a partir deste valor. O espectro de FL dos PQs
mostrou uma banda assimétrica, a qual envolve transições
entre os níveis de energia dos PQs e pode ser decomposta em
dois picos. Pico de energia mais alta desta banda foi
observado para a amostra com PQs crescidos sobre uma
camada de InxGa1-xAs casada e o pico foi deslocado para
energias mais baixas para amostras tensionadas. Estruturas
diferentes de PQ de InAs crescidas sobre uma camada de
InGaAlAs casada com InP foram investigadas. Picos de
fotocorrente extremamente estreitos foram observados,
demonstrando um excelente potencial para sintonização
estreita de comprimentos de onda. Foram desenvolvidas
estruturas para detectar radiação superior à 10μm. Medidas
de absorção mostrando uma dependência com a polarização
mostraram eu as estruturas tem um confinamento total e são
apropriadas para detecção sintonizável de radiação por
incidência normal.
Descrição | Arquivo |
CAPA, AGRADECIMENTOS, RESUMO, ABSTRACT E SUMÁRIO | |
CAPÍTULO 1 | |
CAPÍTULO 2 | |
CAPÍTULO 3 | |
CAPÍTULO 4 | |
CAPÍTULO 5 | |
REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS E ANEXOS |