XINFORMAÇÕES SOBRE DIREITOS AUTORAIS
As obras disponibilizadas nesta Biblioteca Digital foram publicadas sob expressa autorização dos respectivos autores, em conformidade com a Lei 9610/98.
A consulta aos textos, permitida por seus respectivos autores, é livre, bem como a impressão de trechos ou de um exemplar completo exclusivamente para uso próprio. Não são permitidas a impressão e a reprodução de obras completas com qualquer outra finalidade que não o uso próprio de quem imprime.
A reprodução de pequenos trechos, na forma de citações em trabalhos de terceiros que não o próprio autor do texto consultado,é permitida, na medida justificada para a compreeensão da citação e mediante a informação, junto à citação, do nome do autor do texto original, bem como da fonte da pesquisa.
A violação de direitos autorais é passível de sanções civis e penais.
As obras disponibilizadas nesta Biblioteca Digital foram publicadas sob expressa autorização dos respectivos autores, em conformidade com a Lei 9610/98.
A consulta aos textos, permitida por seus respectivos autores, é livre, bem como a impressão de trechos ou de um exemplar completo exclusivamente para uso próprio. Não são permitidas a impressão e a reprodução de obras completas com qualquer outra finalidade que não o uso próprio de quem imprime.
A reprodução de pequenos trechos, na forma de citações em trabalhos de terceiros que não o próprio autor do texto consultado,é permitida, na medida justificada para a compreeensão da citação e mediante a informação, junto à citação, do nome do autor do texto original, bem como da fonte da pesquisa.
A violação de direitos autorais é passível de sanções civis e penais.
Coleção Digital
Título: THE NATURE OF PLASTIC DEFORMATION OF III-V SEMICONDUCTORS RESULTING FROM ATOMIC FORCE MICROSCOPY NANOLITHOGRAPHY Autor: PAULA GALVAO CALDAS
Instituição: PONTIFÍCIA UNIVERSIDADE CATÓLICA DO RIO DE JANEIRO - PUC-RIO
Colaborador(es):
RODRIGO PRIOLI MENEZES - ADVISOR
Nº do Conteudo: 18861
Catalogação: 28/12/2011 Liberação: 28/12/2011 Idioma(s): PORTUGUESE - BRAZIL
Tipo: TEXT Subtipo: THESIS
Natureza: SCHOLARLY PUBLICATION
Nota: Todos os dados constantes dos documentos são de inteira responsabilidade de seus autores. Os dados utilizados nas descrições dos documentos estão em conformidade com os sistemas da administração da PUC-Rio.
Referência [pt]: https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=18861&idi=1
Referência [en]: https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=18861&idi=2
Referência DOI: https://doi.org/10.17771/PUCRio.acad.18861
Resumo:
Título: THE NATURE OF PLASTIC DEFORMATION OF III-V SEMICONDUCTORS RESULTING FROM ATOMIC FORCE MICROSCOPY NANOLITHOGRAPHY Autor: PAULA GALVAO CALDAS
Nº do Conteudo: 18861
Catalogação: 28/12/2011 Liberação: 28/12/2011 Idioma(s): PORTUGUESE - BRAZIL
Tipo: TEXT Subtipo: THESIS
Natureza: SCHOLARLY PUBLICATION
Nota: Todos os dados constantes dos documentos são de inteira responsabilidade de seus autores. Os dados utilizados nas descrições dos documentos estão em conformidade com os sistemas da administração da PUC-Rio.
Referência [pt]: https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=18861&idi=1
Referência [en]: https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=18861&idi=2
Referência DOI: https://doi.org/10.17771/PUCRio.acad.18861
Resumo:
In this work, the mechanical deformation of III-V semiconductors
resulting from atomic force microscopy (AFM) nanolithography was
studied. The AFM, equipped with a diamond tip with 80nm radius, was
used to scratch the InP surface with forces in the order of tens of mN
along specific crystallographic directions. The pattern lithographed at the
surface was characterized by AFM, while the material microstructure
analyzes was performed by transmission electron microscopy (TEM). We
studied the mechanical deformation of InP (100) produced by the AFM
with forces in the range of 7uN to 120 uN along directions from the <110>
and <100> families. It was observed by TEM that, it is easier to produce
plastic deformation for scratches along the <110> than along the <100>
directions, which was associated to the different orientations of the
Burgers vectors activated for the InP slip planes for the scratches along
the different directions. The influence of the distance between two
scratches, performed with a normal force of 30 uN on the materials
hardening process was performed as well. Significant hardening was
observed at distances between scratches of 80nm or less suggesting that
locking due to dislocation interaction is occurring at parallel scratches at
distances smaller than 80nm.
