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A violação de direitos autorais é passível de sanções civis e penais.
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Coleção Digital
Título: MICROSCOPIA DE FEIXE DUPLO COMO FERRAMENTA PARA MODIFICAÇÃO E CARACTERIZAÇÃO DE FILMES FINOS DE SEMICONDUTORES ORGÂNICOS E FABRICAÇÃO DE DISPOSITIVOS Autor: CRISTOL DE PAIVA GOUVEA
Instituição: PONTIFÍCIA UNIVERSIDADE CATÓLICA DO RIO DE JANEIRO - PUC-RIO
Colaborador(es):
MARCO CREMONA - ORIENTADOR
Nº do Conteudo: 29615
Catalogação: 07/04/2017 Idioma(s): PORTUGUÊS - BRASIL
Tipo: TEXTO Subtipo: TESE
Natureza: PUBLICAÇÃO ACADÊMICA
Nota: Todos os dados constantes dos documentos são de inteira responsabilidade de seus autores. Os dados utilizados nas descrições dos documentos estão em conformidade com os sistemas da administração da PUC-Rio.
Referência [pt]: https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=29615@1
Referência [en]: https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=29615@2
Referência DOI: https://doi.org/10.17771/PUCRio.acad.29615
Resumo:
Título: MICROSCOPIA DE FEIXE DUPLO COMO FERRAMENTA PARA MODIFICAÇÃO E CARACTERIZAÇÃO DE FILMES FINOS DE SEMICONDUTORES ORGÂNICOS E FABRICAÇÃO DE DISPOSITIVOS Autor: CRISTOL DE PAIVA GOUVEA
Nº do Conteudo: 29615
Catalogação: 07/04/2017 Idioma(s): PORTUGUÊS - BRASIL
Tipo: TEXTO Subtipo: TESE
Natureza: PUBLICAÇÃO ACADÊMICA
Nota: Todos os dados constantes dos documentos são de inteira responsabilidade de seus autores. Os dados utilizados nas descrições dos documentos estão em conformidade com os sistemas da administração da PUC-Rio.
Referência [pt]: https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=29615@1
Referência [en]: https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=29615@2
Referência DOI: https://doi.org/10.17771/PUCRio.acad.29615
Resumo:
Nesta tese de doutoramento apresentamos a técnica de microscopia de feixe duplo (MEV e FIB) como uma ferramenta modificadora das propriedades físico-química dos semicondutores orgânicos, a qual pode ser eficaz para alterar e controlar a mobilidade dos portadores de carga nestes materiais semicondutores. Neste caso, filmes finos e dispositivos orgânicos, principalmente à base de tiofeno, foram bombardeados com diferentes doses de íons de Ga com objetivo de induzir modificações na estrutura polimérica a partir das diversas interações entre o íon e o polímero. As propriedades dos filmes finos e dos dispositivos bombardeados foram caracterizadas através das técnicas de UV-Vis, Espectroscopia Raman e CELIV, as quais indicaram a existência de dois regimes de comportamentos governados pela dose de íons empregada. Técnicas avançadas de microscopia eletrônica indicaram a formação de uma estrutura tipo grafítica, em torno de 50 nm da superfície do bombardeamento, decorrente da interação entre os íons de gálio e a camada polimérica. A possibilidade de construir dispositivos orgânicos intercalados com camadas grafíticas pode ser explorada de forma a construir arquiteturas mais eficientes, explorando a alta resolução espacial que a técnica FIB proporciona.
Descrição | Arquivo |
NA ÍNTEGRA |