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A violação de direitos autorais é passível de sanções civis e penais.
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Coleção Digital
Título: ESTUDO TEORICO E EXPERIMENTAL DO FET DE DUPLA PORTA Autor: PAULO JOSE CUNHA RODRIGUES
Instituição: PONTIFÍCIA UNIVERSIDADE CATÓLICA DO RIO DE JANEIRO - PUC-RIO
Colaborador(es):
ALVARO AUGUSTO ALMEIDA DE SALLES - ORIENTADOR
Nº do Conteudo: 14556
Catalogação: 05/11/2009 Idioma(s): PORTUGUÊS - BRASIL
Tipo: TEXTO Subtipo: TESE
Natureza: PUBLICAÇÃO ACADÊMICA
Nota: Todos os dados constantes dos documentos são de inteira responsabilidade de seus autores. Os dados utilizados nas descrições dos documentos estão em conformidade com os sistemas da administração da PUC-Rio.
Referência [pt]: https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=14556@1
Referência [en]: https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=14556@2
Referência DOI: https://doi.org/10.17771/PUCRio.acad.14556
Resumo:
Título: ESTUDO TEORICO E EXPERIMENTAL DO FET DE DUPLA PORTA Autor: PAULO JOSE CUNHA RODRIGUES
Nº do Conteudo: 14556
Catalogação: 05/11/2009 Idioma(s): PORTUGUÊS - BRASIL
Tipo: TEXTO Subtipo: TESE
Natureza: PUBLICAÇÃO ACADÊMICA
Nota: Todos os dados constantes dos documentos são de inteira responsabilidade de seus autores. Os dados utilizados nas descrições dos documentos estão em conformidade com os sistemas da administração da PUC-Rio.
Referência [pt]: https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=14556@1
Referência [en]: https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=14556@2
Referência DOI: https://doi.org/10.17771/PUCRio.acad.14556
Resumo:
Este trabalho tem por objetivo estudar o (MES) FET de dupla porta de Arseneto de Gálio e algumas de suas propriedades como dispositivo de microondas. Inicialmente é desenvolvido um modelo para o FET de porta simples baseado na Aproximação do Canal Gradual, que inclue as variações com a polarização da capacitância entre a porta e o dreno e do tempo de trânsito. A partir desse modelo é obtido um outro para o FET de dupla porta. Então, as propriedades do FET de dupla porta relativas a sua aplicação como amplificador de ganho controlado e misturador são estudadas. A seguir suas propriedades que o fazem indicado para amplificador de ganho controlado são determinados. Também, a região de polarização que otimiza a isolação entre OL e RF quando ele é usado em misturadores é obtida. Usando fórmulas empíricas de forma relativamente simples e uma estratégia de aquisição de dados rápida e eficiente, obtém-se um modelo DC a partir de dados experimentais. Como exemplo de aplicação, esse modelo é usado para determinar o ponto de polarização ótimo com respeito, a ganho para um dispositivo medido. Dois amplificadores são construídos usando uma nova técnica de projeto. Essa técnica utiliza uma linha em aberto na porta 2 para manter o ganho plano sem necessidade de descassamento nas freqüências mais baixas. Em cada um dos amplificadores é usada uma técnica diferente para casamento do dreno. Esse trabalho apresenta-se como uma etapa na direção de aproveitar ao máximo o potencial desse versátil dispositivo de microondas, o FET de dupla porta.
Descrição | Arquivo |
NA ÍNTEGRA |