A utilização de transformadores de impedância banda larga possibilita o acoplamento de forma eficiente das linhas convencionais de 50 (ômegas) dos sistemas de alta freqüência aos componentes optoeletrônicos de alta velocidade de baixa impedância, tais como lasers semicondutores (tipicamente com 3 a 5 (ômegas) de resistência de entrada). Uma das principais restrições para a realização de um transformador de impedância planar para uso em sistemas de comunicações ópticas é a sua dimensão física. A fim de se obter um transformador de impedância compacto, de dimensões compatíveis com às dos dispositivos optoeletrônicos, foram analisadas diferentes configurações. Inicialmente foi analisada a configuração coplanar (CPW) utilizando substrato de altíssima constante dielétrica. Devido às limitações encontradas nesta configuração, são propostas, aqui, duas outras soluções. As duas novas configurações propostas associam ao substrato bulk convencional de alumina, filmes de elevada constante dielétrica. Foi desenvolvida uma técnica para caracterizar a constante dielétrica e as perdas dos filmes especialmente fabricados para este trabalho. As análises teóricas mostraram que as configurações propostas apresentam desempenho muito superior ao desempenho das configurações convencionais CPW. Foi implementado o transformador de impedância utilizando uma das soluções propostas e seu desempenho foi avaliado experimentalmente.